铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响

摘要：

采用电阻率为4.8Ω·cm的p型硅片和10Ω·cm的n型硅片,通过高温扩散法制备出了Fe掺杂的补偿硅材料.在室温避光条件下,测量样品电阻率p,并用XRD对扩散后的样品进行分析,研究了Fe掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响.结果表明:相对于n型硅材料,深能级杂质Fe掺杂对p型硅材料电阻率的影响更大,其Fe掺杂p型硅材料电阻率远大于Fe掺杂n型硅材料;当p型硅表面Fe扩散源浓度为1.74× 10-5 mol/cm2时,在1 200℃下扩散1h后,材料具有最大电阻率7 246Ω· cm.

关键词：p型硅、n型硅、深能级杂质、Fe、电阻率、补偿度

所属期刊栏目：32

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目2010211B24;乌鲁木齐市科技项目资助C101110001

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-13