10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.007
硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征.结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大.此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高速约75%,带隙为3.65~3.70 eV.
半导体、ZnS薄膜、磁控溅射、硫化、六方、光透过率
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TN304(半导体技术)
湖北省教育厅科研计划重点资助项目D20121109;武汉科技大学绿色制造与节能减排科技研究中心开放基金资助项目B1220
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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