10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.006
厚度对TaN薄膜电性能的影响研究
采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜,研究了薄膜厚度对TaN薄膜微观结构及电性能的影响.结果表明,薄膜厚度对TaN薄膜的表面形貌和相结构都没有影响,但会显著影响TaN薄膜的电学性能.在87~424 nm的范围内,随着薄膜厚度的增大,所制TaN薄膜的电阻率从555×10-6Ω·cm减小到285×10-6Ω·cm,方阻从84 Ω/□减小到9Ω/□,电阻温度系数(TCR) 从-120×10-6/℃增加到+50×10-6/℃.可以通过调节薄膜的厚度调节TaN薄膜的电阻率和TCR.
TaN薄膜、直流反应磁控溅射、厚度、TCR、电阻率、方阻
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TB43;TN6(工业通用技术与设备)
四川省科技创新研究团队项目2011JTD0039
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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