β-Ga2O3薄膜的分子束外延生长及其紫外光敏特性研究

摘要：

采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征.制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试,结果表明:在20V偏压下,器件的暗电流为8nA;在波长为254 nm、光照强度为13×10-6 W/cm2的紫外光照射下,器件的光电流为624 nA;器件的光电流与暗电流比值为78,光响应度达360 A/W,表现出明显的日盲紫外光响应特性.

关键词：β-Ga2O3、分子束外延、日盲、MSM、紫外探测器、光响应度

所属期刊栏目：32

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-19