Cu掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能和晶界特征

摘要：

采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷.采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征.研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响.结果表明:保温时间从1h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100kHz下的介电损耗保持在0.135,相对介电常数由3 600增至20 000以上.随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的I-V非线性系数由1.8增至3.37,但击穿电场强度却由1500 V/cm降至约700 V/cm.随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的势垒高度和耗尽层宽度均增加.

关键词：CaCu3Ti4O12(CCTO)、Cu掺杂、Schottky热电子发射模型、晶界效应、势垒高度、非线性I-V特征、介电频谱、复阻抗谱

所属期刊栏目：32

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51002036;广西自然科学基金资助项目C013002, BA053007;广西科学研究与技术开发计划资助项目桂科攻12118017-13

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36