10.3969/j.issn.1001-2028.2013.03.007
Li2MgSiO4微波介质陶瓷的低温烧结适应性
采用固相法制备了添加B2O3的Li2MgSiO4陶瓷,研究了添加B2O3助剂对降低Li2MgSiO4陶瓷烧结温度的作用,以及B2O3对所制陶瓷的密度、相结构与微观形貌、微波介电性能的影响.结果表明,添加质量分数2%的B2O3就可在810℃的低温下实现Li2MgSiO4陶瓷的致密烧结,并获得较佳的介电性能:εr=5.84,Q·f=107 000 GHz(f=8 GHz),可用于制作LTCC材料.
Li2MgSiO4、微波介质陶瓷、低温烧结、B2O3、烧结助剂、LTCC材料
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TM28(电工材料)
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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