半桥驱动芯片中LDMOS的设计仿真

摘要：

借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真.该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10-3Ω·cm2的LDMOS.

关键词：半桥驱动芯片、双层浮空场板、LDMOS、仿真

所属期刊栏目：32

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：64-67