覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究
通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡( BST)膜.对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较.结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%.这证明BST膜能够提高器件的击穿电压.
半导体功率器件、钛酸锶钡(BST)膜、结终端、场限环
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TN303(半导体技术)
中央高校基本科研业务费专项基金资助项目ZYGX2011J029
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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