覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究

摘要：

通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡( BST)膜.对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较.结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50％.这证明BST膜能够提高器件的击穿电压.

关键词：半导体功率器件、钛酸锶钡(BST)膜、结终端、场限环

所属期刊栏目：31

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项基金资助项目ZYGX2011J029

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：46-48