复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件

摘要：

为了提高SOI-LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由p埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成.复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应.仿真结果表明,在漂移区长度为57 μm时,新结构耐压达到了1 052 V,与CamSemiSOI相当,而比导通电阻与表面最高温度分别比CamSemi SOI降低了233.05 Ω·mm2和64 K.

关键词：SOI-LDMOS功率器件、复合埋层、击穿电压

所属期刊栏目：31

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：四川省重点学科基金资助项目SZD0503-09-0;教育部春晖计划基金资助项目Z2011091

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45