200微米DC腐蚀铝箔极限长度的研究

摘要：

为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响.发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,不能贯穿整个夹芯层,这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向.在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小,低于70℃下甚至不生长隧道孔,所形成的夹芯层非常厚.而经过0.8 mol/L游离酸的二级腐蚀,隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层.

关键词：铝箔、DC腐蚀、极限长度、隧道孔、SEM

所属期刊栏目：31

分类号：TM535(电器)

资助基金：广东省重大科技专项资助项目2010A080404003

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-31