退火温度对ZrO2高介电薄膜电学性能的影响

摘要：

利用反应磁控溅射法沉积了ZrO2介电薄膜,研究了退火温度对ZrO2介电薄膜电学性能的影响,并对漏电流最小的样品的漏电流机制进行了分析.结果表明,随着退火温度的升高,漏电流先减小后增大,退火温度为300℃时所制备薄膜的漏电流最小,当所加电压为-1.4 V时,漏电流密度为8.32×10-4 A/cm2.当所加正偏压为0～0.8 V和0.8～4.0V时,该样品的漏电流主导机制分别为肖特基发射和直接隧穿电流；当所加负偏压为-1.7～0V和-4.0～-1.7V时,其主导机制分别为肖特基发射和空间电荷限制电流.

关键词：ZrO2薄膜、介电常数、漏电流

所属期刊栏目：31

分类号：TM536(电器)

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：22-24