Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜的介电损耗机理研究

摘要：

采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理.结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗.氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低.这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制.此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制.

关键词：铌酸铋镁(BMN)薄膜、氧空位、介电损耗机制、退火

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50972024

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-21,24