Bi2O3和Sb2O3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响

摘要：

采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响.结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7∶1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361 V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10-8 A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5％.

关键词：ZnO压敏电阻、BiSbO4、微观结构、电学性能

所属期刊栏目：31

分类号：TN283(光电子技术、激光技术)

资助基金：科技型中小企业技术创新基金资助项目09C26214201910

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15