预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响

摘要：

采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响.结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生.当预烧温度为775℃时,经1125℃保温3h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、E=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10-6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、p=7.88 g/cm3.

关键词：压电陶瓷、PZN-PZT、预烧温度

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分类号：TM277(电工材料)

资助基金：中央高校基本科研业务基金资助项目2010MS006;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20100142120091

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4