AZO透明导电薄膜的制备

摘要：

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:AI(AZO)透明导电薄膜,并借助XRD、SEM等表征方法,研究了溅射功率和衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响.结果表明,制备薄膜的最佳溅射功率和衬底温度分别为180W、200℃,在此条件下制备的AZO薄膜具有明显的c轴(002)择优取向,其最低方块电阻为18 Ω/□,在可见光范围内的平均透光率超过91％,且透明导电性能优于目前平板显示器的要求,有望取代现在市场上的主流氧化铟锡(ITO)薄膜.

关键词：AZO、溅射功率、衬底温度、结构特性、光电特性

所属期刊栏目：31

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：陕西省教育厅基金资助项目11JK0837;陕西科技大学博士专项基金资助项目BJ08-07

在线出版日期：2012-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75