扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响

摘要：

研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响.通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池.结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64V,5.58A,0.755和17.3％.

关键词：扩散温度、扩散时间、薄层方块电阻、单晶硅太阳电池、转换效率

所属期刊栏目：31

分类号：TN366(半导体技术)

资助基金：四川省科技厅院级合作资助项目No.10ZC1914:四川省科技厅重大技术支撑资助项目10ZC1893

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-65