10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.002
CuO掺杂对BaZn2Ti4O11陶瓷微波介电性能的影响
采用固相反应法制备了CuO掺杂的BaZn2Ti4O11陶瓷,研究了所制陶瓷的物相、微观结构和微波介电性能.结果表明,CuO既可以在晶界处形成低共熔体,导致液相烧结,降低烧结温度40℃,又可使部分Cu2+进入晶格取代了部分Zn2+,增加Q·f值.掺杂质量分数0.5%的CuO在1 160℃烧结2h所制得BaZn2Ti4O11陶瓷的微波介电性能较佳:相对介电常数εr=29.4,Q·f=50 500 GHz,频率温度系数τf=-35.6×10-6/℃.
微波介质陶瓷、介电性能、BaZn2Ti4O11、CuO掺杂
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TM28(电工材料)
四川省教育厅基金资助项目11ZD15
2012-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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4-6,17