10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.001
不同含锰化合物掺杂对BST-MgO陶瓷介电性能的影响
采用普通固相反应法制备了0.45Ba0.55Sr0.45TiO3-0.55MgO-Mn(NO3)2/MnCO3(简称BST-MgO)陶瓷,通过XRD和SEM研究了不同形态含锰化合物(固态MnCO3及液态Mn(NO3)2)掺杂对所制BST-MgO陶瓷致密化及微波介电性能的影响.结果表明,液态Mn(NO3)2掺杂可以增加锰离子进入BST晶格的几率,同时抑制镁离子进入BST晶格,提高BST-MgO陶瓷的致密度,降低介质损耗,获得较高的综合性能:10 kHz下εr=116,tanδ=0.003 8,可调率(Tu)为19.64%,优值K=51.68; 3GHz时Q·f值达788 GHz.
钛酸锶钡、氧化镁、锰掺杂、介电性能、可调率
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TM22(电工材料)
国防基础科研重大项目资助;湖北省自然科学基金资助项目2010CDB02704
2012-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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