掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究

摘要：

采用磁控溅射法在Si(100)村底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行.通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源.结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小；此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系.

关键词：稀磁半导体、掺碳氧化铟、铁磁性、薄膜

所属期刊栏目：31

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：福建省自然科学基金资助项目No.2011J05122:福建农林大学青年教师科研基金资助项目2011xjj27

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-35,39