溅射气压对Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜结构及介电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜.研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构.高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大.薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大.且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值.在基片温度为675℃,溅射气压为5Pa,体积比ψ(O2∶Ar)为15∶85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6× 106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26％,介质损耗约0.8％；在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10-8 A/cm2.

关键词：铌酸铋镁(BMN)薄膜、射频磁控溅射、介电调谐率、介质损耗

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50972024;国家自然科学基金资助项目60871049

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15