10.3969/j.issn.1001-2028.2011.09.007
Zn2SiO4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响
采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响.结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15 μA,样品在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%.
氧化锌压敏电阻、Zn2SiO4掺杂、晶粒、电学性能
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TM277(电工材料)
科技型中小企业技术创新基金资助项目09C26214201910
2012-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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