衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响

摘要：

采用能谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM)对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析.研究发现:当衬底负偏压在5～30V范围变化时,薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势,在偏压为10V时,达到最小值52.84％(摩尔分数,下同).Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反,且在偏压为10 V时达到最大值29.85％,而Mn含量变化不大,保持在17.00％左右；薄膜呈典型岛状(Volmer-Weber)模式生长,表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小.

关键词：Ni-Mn-Ga、薄膜、衬底负偏压

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：山西省自然科学基金资助项目2010011032-1;山西省研究生创新基金资助项目20093096;太原市大学生创新创业专题资助项目100115154

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-23,30