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10.3969/j.issn.1001-2028.2011.08.010

钽阳极氧化膜的半导体性研究

引用
用电容测量技术和电化学阻抗技术研究了高纯钽丝在稀磷酸(质量分数为0.01%,0.10%和1.00%)、氨水(pH=11)和饱和CO2水溶液(pH=4)中阳极氧化形成的氧化钽膜在酸性缓冲液(pH=2)中的半导体性和阻抗特性.实验结果表明,来自非磷酸系的阳极氧化钽膜呈现出双极性(p-n)半导体结构特征,而来自磷酸系的则表现为三极性( n-p-n);且非磷酸系阳极氧化钽膜的施主浓度(0.6×1019cm-3)明显低于磷酸系的(0.7×1019~2.2× 1019cm-3).但磷酸系阳极氧化钽膜的耐酸腐蚀性弱于非磷酸系的.这些可能是磷酸根离子嵌入氧化钽膜外层的结果.

阳极氧化钽膜、半导体特性、电容测量、Mott-Schottky分析、阻抗

30

TM201(电工材料)

国家重点基础研究发展计划973资助项目2011CB606201

2011-12-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

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2011,30(8)

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