低温烧结CuO改性PZT压电陶瓷性能研究

摘要：

为了降低铅基压电陶瓷的烧结温度,采用传统固相法制备了CuO掺杂改性的Pb (Zr0.52Ti0.48)2O3 (PZT)二元压电陶瓷.研究了CuO掺杂对所制PZT陶瓷的结构和性能的影响.XRD显示随CuO掺杂量增加,特征峰向低角度移动,SEM显示烧结晶粒先增加后减小,CuO的加入促进了烧结.CuO和PbO生成低共熔物,使PZT陶瓷的烧结温度降至970℃,降低了250℃；掺杂质量分数0.4%的CuO时,PZT陶瓷的综合性能最优:密度为7.65 g/cm3,εr=1 645,tanδ=0.015,d33= 260 pC/N,kp=0.44,Qm= 1500.

关键词：压电陶瓷、低温烧结、氧化铜、压电性能

所属期刊栏目：30

分类号：TM28(电工材料)

在线出版日期：2011-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19