10.3969/j.issn.1001-2028.2011.07.005
B-Si-Pb玻璃掺杂PBSNF-PZT压电陶瓷的性能研究
通过传统固相反应法合成了P)b0.95Ba0.05[(Sb0.6Fe0.4)0.5Nb0.5]0.02Zr0.52Ti0.48O3(PBSNF-PZT)压电陶瓷,研究了B-Si-Pb(B2O3-SiO2-PbO)玻璃掺杂对PBSNF-PZT陶瓷结构及性能的影响。结果表明,掺杂少量B-Si-Pb玻璃后,所制PBSNF-PZT陶瓷的结构未改变,仍为四方相的钙钛矿型铁电体,晶粒尺寸降低,压电性能和介电性能改善,烧结温度降低。玻璃掺杂量为质量分数0.5%,在1 150℃烧结所制的PBSNF-PZT陶瓷综合性能较好:εr=1 950,tanδ=0.016,d33=470 pC/N,k31=0.40,适用于对灵敏度要求较高的压电驱动器件。
压电陶瓷、玻璃掺杂、压电性能
30
TM282(电工材料)
中国博士后科学基金一等资助项目No.20080440138;中央高校基本科研业务费资助项目2010MS006
2011-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
18-21