金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究

摘要：

采用开管涂源法,对p25为7Ω·cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR.研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析.结果表明:扩散温度θ=1200℃、扩散时间t≥2h时,导电类型反型为P型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000K左右,P25恒定在(2～3)×103Ω·cm.

关键词：NTC热敏电阻、单晶硅、金、铂、深能级杂质

所属期刊栏目：30

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目2010211B24

在线出版日期：2011-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32