10.3969/j.issn.1001-2028.2011.05.007
衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响.研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大.当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10<'-4>Ω·cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上.
脉冲激光沉积、ZnO:Ga薄膜、衬底温度、光电性能
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O484.4(固体物理学)
江苏省科技厅工业支撑项目资助BE2009106
2011-09-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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23-25,34