铜掺杂氧化锌薄膜的阻变特性

摘要：

采用脉冲激光沉积法在SnO<,2>:F(FTO)衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO:Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO:Cu/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试.结果显示:两种器件在室温电场作用下均显示出双极可逆变阻特性;Cu掺杂使ZnO薄膜的开关比大幅增加,电流-电压曲线拟合结果显示这是由Schottky结界面机制产生的高低阻态引起的.

关键词：电阻开关、脉冲激光沉积、铜掺杂氧化锌、Schottky结界面势垒

所属期刊栏目：30

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60976016

在线出版日期：2011-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22