热处理对TaN薄膜电性能的影响

摘要：

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响.研究发现,在热处理时间为2 h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12 Ω/□增加到24 Ω/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时闻的增长,R□及TCR略有变化.

关键词：TaN薄膜、热处理、方阻、电阻温度系数

所属期刊栏目：30

分类号：TM241(电工材料)

资助基金：四川省支撑计划资助项目2010GZ0156;电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目KFJJ200804

在线出版日期：2011-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：47-49