Ni掺杂CoSb3化合物的热电性能及机理研究

摘要：

采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了CoSb3和Co3.5Ni0.5Sb12化合物,并测量了其热电性能.利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Ni掺杂前后的CoSb3的能带结构和态密度进行了计算,实验和理论计算结果表明:CoSb3的费密面位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Co3.5Ni0.5Sb12的费密面进入导带,其电阻率随温度的升高而增大,为n型筒并半导体;本实验条件下,Co3.5Ni0.5Sb12化合物的功率因子在550K时出现最大值2292.92μW/(m·K2),是未掺杂CoSb3化合物最大值的12倍.

关键词：Co3.5Ni0.5Sb12、热电性能、能带结构、态密度

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.2;O482.6(半导体技术)

资助基金：江苏省科技支撑计划资助项目BE2008020

在线出版日期：2011-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：38-42