掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响

摘要：

以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm203掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位.在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4 800;随着Sm203掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.007 0.

关键词：BaSrTiO3、Sm2O3掺杂、介电性能、居里温度、微观形貌

所属期刊栏目：29

分类号：TM22+3(电工材料)

资助基金：河北省教育厅科学计划资助项目2008119;河北理工大学博士启动基金

在线出版日期：2010-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：11-13