10.3969/j.issn.1001-2028.2010.10.004
掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm203掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位.在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4 800;随着Sm203掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.007 0.
BaSrTiO3、Sm2O3掺杂、介电性能、居里温度、微观形貌
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TM22+3(电工材料)
河北省教育厅科学计划资助项目2008119;河北理工大学博士启动基金
2010-12-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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