沉积在硅纳米孔柱阵列上的金网络

摘要：

采用浸溃技术在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上沉积了金(Au),得到了Au的网络结构Au/Si-NPA.测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60 min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0 nm和75.5 nm.无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物.说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中.

关键词：Au/硅纳米孔柱阵列、Au互连、浸渍技术

所属期刊栏目：29

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10574112

在线出版日期：2010-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：48-50