储能晶界层电容材料的研究进展

摘要：

介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理.综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结与展望.

关键词：储能电容、晶界层材料、综述、掺杂、包覆

所属期刊栏目：29

分类号：TM28(电工材料)

在线出版日期：2010-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：66-69