AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

摘要：

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1 900℃,氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AIN-SiC复相微波衰减材料.借助网络分析仪,研究了该材料在8～12 GHz的微波衰减性能.结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86 GHz降低到10.11 GHz,所对应的峰值从3.2 dB降低到0.7 dB,而该材料的有效衰减带增大;在900～1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30～50min后,该材料的谐振频率维持在10.65～10.62 GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小.

关键词：微波衰减陶瓷、氮化铝、碳化硅、选频衰减

所属期刊栏目：29

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：国防科工委基金

在线出版日期：2010-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4