PECVD法制备类金刚石薄膜结构和表面形貌分析

摘要：

以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜.利用拉曼(Raman)光谱仪与原子力显微镜(AFM)对其结构与表面形貌进行了表征.结果表明:所制备的DLC薄膜是含sp3和sp2混合键的非晶态碳膜,其表面均匀、光滑,致密;且随着射频功率的提高,薄膜的平均晶粒直径由8.0 nm降为4.2 am,粗糙度由2.2 nm减为0.9 nm.

关键词：类金刚石薄膜(DLC)、PECVD法、薄膜结构、表面形貌

所属期刊栏目：29

分类号：TM277(电工材料)

资助基金：重庆师范大学博士启动基金资助项目06XLB008

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-39