SiC改性Mg2SiO4陶瓷微波衰减性能的研究

摘要：

采用热压烧结工艺在1 500℃下保温1 h,制备了SiC改性Mg2SiO4陶瓷,研究了SiC添加量对Mg2SiO4陶瓷烧结性能、显微结构及微波衰减性能的影响.初步探讨了该Mg2SiO4陶瓷的微波衰减机制.结果表明:当SiC质量分数从0增加到10%,Mg2SiO4陶瓷的表观气孔率逐渐增大,烧结性能下降;Mg2SiO4陶瓷的谐振频率随之向低频移动,谐振吸收峰的峰值逐渐减小,有效衰减带宽增大.电阻损耗和介质损耗是Mg2SiO4陶瓷主要的微波衰减机制.

关键词：热压烧结、SiC、Mg2SiO4陶瓷、微波衰减、谐振频率

所属期刊栏目：29

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：国防科工委基金

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-3