氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究

摘要：

在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器.研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能.结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1 MHz时tan(为0.001 92)及很高的电压稳定性;在-55～+150 ℃的范围内其1 MHz时的电容温度系数为258×10-6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压.

关键词：金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、SiNx薄膜、介电性能、电容温度系数(TCC)、I-V特性

所属期刊栏目：29

分类号：TM53(电器)

资助基金：广东省教育部产学研结合重点资助项目2007A090302035

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：45-47