10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.014
氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究
在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器.研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能.结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1 MHz时tan(为0.001 92)及很高的电压稳定性;在-55~+150 ℃的范围内其1 MHz时的电容温度系数为258×10-6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压.
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、SiNx薄膜、介电性能、电容温度系数(TCC)、I-V特性
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TM53(电器)
广东省教育部产学研结合重点资助项目2007A090302035
2010-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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