低压TiO2系压敏陶瓷的伏安特性实验分析

摘要：

采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较.结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106 V/m量级)的情况下,TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷,而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似,属于肖特基热电子发射机制.

关键词：TiO2系压敏陶瓷、伏安特性、热电子发射、肖特基势垒

所属期刊栏目：29

分类号：TN304;TN379(半导体技术)

资助基金：广东工业大学博士启动基金资助项目083025;广州市教育局科技计划资助项目重点01-2

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：25-27