10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.003
成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响
分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响.研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料.和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小.
钛酸锶、高介单层微波电容器、轧膜工艺、流延工艺
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TM534+.1(电器)
2010-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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