10.3969/j.issn.1001-2028.2010.04.002
Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响
采用sol-gel法制备了具有Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层的PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)薄膜,研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响.结果表明,较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的(111)择优取向,添加单层缓冲层(约20 nm)使其(111)取向度提高到90%;较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的(111)择优取向,添加四层缓冲层(约80 nm)使其(111)取向度降低到9%;缓冲层厚度对样品电性能有显著影响,其剩余极化强度由无缓冲层时的26.8×10-6 C/cm2增加到缓冲层厚度约为20 nm时的38.8×10-6 C/cm2.
缓冲层、PZT薄膜、Sr(Zr0.1Ti0.9)O3、取向度
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O484 (固体物理学)
西安建筑科技大学青年基金资助项目QN0714
2010-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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5-7,11