玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能

摘要：

采用磁控溅射法制备La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响.研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能.玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10~(-6)C/cm~2,矫顽电压(Vc)为0.96 V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10~(-6)C/cm~2,Vc为1.05 V.

关键词：玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器、磁控溅射法、sol-gel法、铁电性能

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分类号：O484.4~+2(固体物理学)

资助基金："973"计划前期研究专项资助项目2007CB616910;国家自然科学基金资助项目60876055;高等学校博士点基金资助项目20091301110002;河北省自然科学基金资助项目E2008000620, E2009000207;河北省应用基础研究计划重点基础研究项目08965124D

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34