添加V_2O_5对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷性能的影响

摘要：

采用固相反应法制备了Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷,研究了添加V_2O_5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响.结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V_2O_5时,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的烧结温度从1 350 ℃降低到1 150 ℃,烧结温度范围拓宽为1 150~1 300 ℃;在1 150 ℃烧结5 h后,其介电性能达到最佳:ε_r = 11.86,Q·f = 99 828 GHz (11.2 GHz),τ_f = -57×10~(-6)/℃(10～90 ℃,1 MHz).当w(V_2O_5)增大到1.5%时,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的介电性能变差.

关键词：微波介质陶瓷、Mg_4Nb_2O_9、V_2O_5、介电性能

所属期刊栏目：29

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：江苏省科技支撑计划资助项目BE2009168

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4-7