ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能

摘要：

采用共沉淀法制备了w(ZnS)为0～0.2%的ZnS-WO_3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响.研究发现:适量的ZnS掺杂抑制了WO_3晶粒的生长,提高了粉体对H_2S的灵敏度.其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160 ℃时对体积分数为0.001%的H_2S的灵敏度达到87,响应时间7 s,恢复时间12 s.

关键词：WO_3纳米粉体、ZnS掺杂、共沉淀法、气敏元件

所属期刊栏目：29

分类号：TP212.2 (自动化技术及设备)

资助基金：河南省杰出青年科学基金资助项目0012;河南省教育厅自然科学研究计划资助项目2009A150001

在线出版日期：2010-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16