10.3969/j.issn.1001-2028.2010.01.007
Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响
采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si (CBS)玻璃掺杂的Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响.结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗.当w(CBS) = 3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500 ℃以上降至1 250 ℃,表观密度提高到6.32 g/cm~3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值:ε_r = 26,Q·f = 67 800 GHz(8 GHz),τ_f = 25×10~(-6)/ ℃.该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料.
微波介质陶瓷、Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3、Ca-B-Si掺杂、微波介质损耗
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TM282(电工材料)
四川省青年基金资助项目JS0303001
2010-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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