10.3969/j.issn.1001-2028.2010.01.004
硫掺杂对ZnO热电性能的影响
采用固相反应法制备了ZnO_(1-x)S_x块体材料(0≤x≤0.05);通过对样品X射线衍射谱(XRD)、电导率和Seebeck系数的测量,研究了S掺杂对ZnO晶体结构及热电性能的影响.结果表明:所有试样均为六方纤锌矿结构.在573 K时,ZnO_(1-x)S_x(0<x≤0.05)材料的电导率(1 723 S·m~(-1))比ZnO材料的电导率(3.02 S·m~(-1))大得多,同时二者的Seebeck系数相差较小.在1 073 K下,试样ZnO_(0.97)S_(0.03)具有最高的功率因子2.5×10~(-4) Wm~(-1)K~(-2),是同温度下未掺杂ZnO功率因子的10倍.
热电材料、ZnO、等电子掺杂、功率因子
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TN304.2;O482.6(半导体技术)
江苏省科技支撑计划资助项目BE2008020
2010-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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