10.3969/j.issn.1001-2028.2009.11.010
真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响
室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响.结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响.经过350 ℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10-5 Ω·cm降至4.0×10-5 Ω·cm.
透明导电膜、射频磁控溅射、三层膜、GZO/Ag/GZO、真空退火
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TN304.055 (半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60676041;山东省自然科学基金资助项目Y2008 A37
2010-01-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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