真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响

摘要：

室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响.结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响.经过350 ℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10-5 Ω·cm降至4.0×10-5 Ω·cm.

关键词：透明导电膜、射频磁控溅射、三层膜、GZO/Ag/GZO、真空退火

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.055 (半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60676041;山东省自然科学基金资助项目Y2008 A37

在线出版日期：2010-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35