TiO2过渡层对Bi3.54Nd0.46Ti3O12薄膜微观结构及电性能的影响

摘要：

选取厚度为5、10和20 nm的TiO2薄膜为过渡层,采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.54Nd0.46Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响.结果表明,加入TiO2过渡层后,BNT薄膜微观结构得到改善,εr及2Pr值大幅提高,介电损耗及漏电流密度都有降低.过渡层厚度为20 nm时,BNT薄膜的εr、tanδ及2Pr值分别为325、0.025(测试频率为10 kHz)和36.1×10-6 C/cm2,漏电流密度为8.45×10-7 A/cm2(外加电场为100×103 V/cm).

关键词：铁电薄膜、TiO2过渡层、sol-gel法、微观结构、电学性能

所属期刊栏目：28

分类号：TM22 (电工材料)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10204016

在线出版日期：2010-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,35