纳米Al夹层Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

摘要：

用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜,对其光学和电学性能进行了表征.单层Al膜厚度大于7 nm时,光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域;Ga2O3膜在深紫外光区域(<300 nm)透明,光学带隙4.96 eV;Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜透射率截止波长在245 nm左右,随着顶层Ga2O3厚度增加,电导率减小,紫外光透射率峰位、吸收边、截止波长红移,透射率峰值先稍微增加,然后逐渐降低.顶层Ga2O3厚度为34 nm时,Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜在275 nm处的透射率达70%,电导率为3 346 S·cm–1.

关键词：磁控溅射、深紫外、多层膜、透明导电膜

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.4(半导体技术)

资助基金：鲁东大学创新团队建设资助项目08-CXB002

在线出版日期：2009-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：44-46