掺杂Fe2O3对氧化钒相变的影响

摘要：

用电子陶瓷工艺制备了三种不同掺杂比例的临界热敏电阻CTR(Critical Temperature Resister),根据样品对应的热谱中的相变点,找出Fe2O3掺杂量与相变点的关系.从微观半导体理论分析晶粒体电特性,求解泊松方程,得出晶粒体中电势垒与受主杂质Fe2O3掺杂量的关系.结果表明:当x(Fe2O3)为10%～25%时,相变温度增加值Δt和摩尔分数增加值(Δx)2呈线性关系.

关键词：CTR、P2O5、Fe2O3掺杂量、VO2、相变

所属期刊栏目：28

分类号：TQ135.1

资助基金：国家自然科学基金资助项目2005111GZ3B341

在线出版日期：2009-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：25-27