利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

摘要：

为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器.其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9 F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200 MHz至数GHz的退耦或其他场合.同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合.

关键词：半导体pn结、结电容、沟道电容、半导体工艺、电容器

所属期刊栏目：28

分类号：TN603(电子元件、组件)

资助基金：国家"863"计划资助项目2006AA01Z236

在线出版日期：2009-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14